○広島大学半導体産業技術研究所における微細加工装置の利用に係る支援実施要項
| (令和4年5月13日学長決裁) |
|
広島大学半導体産業技術研究所における微細加工装置の利用に係る支援実施要項
| (趣旨) | ||
| 第1 | この要項は，広島大学学則(平成16年4月1日規則第1号)第18条の規定に基づき，文部科学省マテリアル先端リサーチインフラのスポーク機関として広島大学半導体産業技術研究所(以下「研究所」という。)が実施する微細加工装置の利用に係る支援に関し必要な事項を定めるものとする。 | |
| (支援対象者) | ||
| 第2 | 支援を受けることができる者は，ナノテクノロジーの発展に寄与する研究その他研究所長が認める事項を目的とした，次の各号のいずれかに該当する者とする。 | |
| (1) | 学術研究機関に所属する研究者 | |
| (2) | 民間企業に所属する研究者 | |
| (3) | 本学の職員及び学生 | |
| (4) | その他研究所長が認めた者 | |
| (支援を受けることができる日時) | ||
| 第3 | 支援を受けることができる日時は，原則として日曜日，土曜日，国民の祝日に関する法律(昭和23年法律第178号)に規定する休日及び年末年始(12月29日から翌年1月3日までの日)を除く日の午前10時から午後5時までの間とする。 | |
| (支援の申請) | ||
| 第4 | 支援を受けようとする者は，原則として支援を受けようとする日の1週間前までに，所定の申請書を研究所長に提出しなければならない。 | |
| (支援の承認) | ||
| 第5 | 研究所長は，第4の申請の内容を確認し，支援を行うことが適当であると認めたときは，これを承認し，支援を行うものとする。 | |
| (支援の形態) | ||
| 第6 | 支援の形態は，次の各号に掲げるとおりとする。 | |
| (1) | 共同研究 共通の課題についての一連の計画を支援を受ける者が研究所の職員と共同で立案し，共同で研究を行う。 | |
| (2) | 機器利用 支援を受ける者が，研究所に来所し，自ら機器操作等を行う。 | |
| (3) | 技術代行 研究所の職員が，支援を受ける者に代行して機器を操作する。 | |
| (4) | 技術相談 研究所の職員が，支援を受ける者からの相談に専門家として応える技術コンサルタントとしての支援 | |
| (5) | 技術補助 研究所の職員が補助し，操作方法を指導しながら，支援を受ける者が機器を操作する。 | |
| (成果等の取扱いの選択) | ||
| 第7 | 支援を受ける者は，支援により得られた成果，支援を通じて創出されたデータ(機器ごとに研究所長が定めるデータに限る。以下同じ。)の取扱いに応じて，次の各号のいずれかを選択するものとする。 | |
| (1) | データ共用 支援により得られた成果を公開し，かつ，支援を通じて創出されたデータを文部科学省マテリアル先端リサーチインフラにおいて利用することに同意する場合 | |
| (2) | データ非共用 支援により得られた成果を公開し，かつ，支援を通じて創出されたデータを文部科学省マテリアル先端リサーチインフラにおいて利用することに同意しない場合 | |
| (3) | 自主事業 支援により得られた成果を公開しない場合 | |
| (支援負担金) | ||
| 第8 | 支援を受ける者は，原則として別表に定める支援負担金を支払うものとする。 | |
| 2 | 支援負担金は，指定の期日までに納付するものとする。 | |
| 3 | 既納の支援負担金は，返還しない。 | |
| (消耗品の購入費用) | ||
| 第9 | 支援の実施に必要な消耗品の購入費用は，支援を受ける者の実費負担とする。 | |
| (承認の取消し) | ||
| 第10 | 研究所長は，支援を受ける者がこの要項に違反したとき又は研究所の運営に重大な支障を生じさせたときは，支援の承認を取り消し，支援を停止し，又は事後の支援を承認しないことがある。 | |
| 2 | 前項に定めるもののほか，本学の教育研究上必要があるときその他業務上緊急の必要があるときは，研究所長は，支援の承認を取り消すことがある。 | |
| (物品の持込み) | ||
| 第11 | 支援を受ける者は，物品を研究所に持ち込もうとするときは，あらかじめ研究所長の許可を得なければならない。 | |
| (秘密の保持) | ||
| 第12 | 研究所は，支援の実施に当たり，支援を受ける者から秘密の指定を受けた情報を秘密として取り扱うものとし，当該者から事前に書面による同意を得た場合を除き，当該情報を第三者に開示してはならない。ただし，当該情報が次の各号のいずれかに該当する場合は，この限りでない。 | |
| (1) | 公知の情報 | |
| (2) | 研究所が独自に創出又は発見した情報であり，かつ，そのことを書面により立証できるもの | |
| (3) | 指定を受けた後に，研究所の責めに帰すべき理由によらず公知となった情報 | |
| 2 | 支援を受ける者が希望する場合は，本学と秘密保持契約等を締結することができるものとする。 | |
| (知的財産権) | ||
| 第13 | 支援の結果生じた知的財産権の帰属，取扱い等については，当該発明等の発生事態を勘案して，別途協議して決定するものとする。 | |
| (成果報告) | ||
| 第14 | 支援を受ける者は，所定の成果報告書を研究所長に提出しなければならない。 | |
| (データ共用) | ||
| 第15 | 支援を受ける者は，データ共用を選択した場合は，支援を通じて創出されたデータをマテリアル先端リサーチインフラの事務局に提出しなければならない。 | |
| (損害賠償) | ||
| 第16 | 支援を受ける者が，故意又は過失により，研究所の施設，備品等を滅失し，破損し，又は汚損したときは，直ちに研究所長に届け出るとともに，これを原状に回復し，又はその損害を賠償しなければならない。 | |
| (学外者の自主事業) | ||
| 第17 | 本学は，学外者から自主事業を受け入れる場合は，当該学外者と共同研究契約を締結するものとする。この場合において，学長は，当該学外者に対してこの要項の全部又は一部を適用しないことができる。 | |
| (雑則) | ||
| 第18 | この要項に定めるもののほか，支援の実施に関し必要な事項は，研究所長が定める。 | |
附 則
この要項は，令和4年5月13日から施行し，令和4年4月1日から適用する。
附 則(令和5年11月1日 一部改正)
|
|
この要項は，令和5年11月1日から施行する。
附 則(令和6年3月26日 一部改正)
|
|
この要項は，令和6年4月1日から施行する。
別表(第8第1項関係)
| 区分 | 支援負担金(円/時間) | |||||||
| 学外者が支援を受ける場合 | 学内者が支援を受ける場合 | |||||||
| 自主事業 | 成果公開 | 自主事業 | 成果公開 | |||||
| データ非共用 | データ共用 | データ非共用 | データ共用 | |||||
| 技術相談料 | 8,580 | 3,300 | 3,300 | 4,290 | 1,650 | 1,650 | ||
| 技術代行料 | 8,580 | 3,300 | 3,300 | 4,290 | 1,650 | 1,650 | ||
| 施設使用料 | クリーンルーム | 2,860 | 1,100 | 1,100 | 2,860 | 1,100 | 1,100 | |
| ドラフト | 2,860 | 1,100 | 1,100 | 2,860 | 1,100 | 1,100 | ||
| 機器利用料 | 機器ID | 装置名 | ||||||
| RO-111 | 超高精度電子ビーム描画装置 | 33,000 | 16,500 | 12,650 | 16,500 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-112 | マスクレス露光装置 | 17,160 | 8,580 | 6,600 | 8,580 | 2,860 | 2,200 | |
| RO-113 | マスクレス露光装置 | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-121 | スピンコータ | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-122 | プログラム・ホットプレート | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-123 | インビトロシェーカー | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-131 | レイアウト設計ツール | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-132 | MEMS設計ツール
（IntelliSuite） | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-211 | イオン注入装置 | 25,740 | 12,870 | 9,900 | 12,870 | 6,435 | 4,950 | |
| RO-212 | 高温イオン注入装置 | 42,900 | 21,450 | 16,500 | 14,300 | 7,150 | 5,500 | |
| RO-221 | 酸化炉 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-222 | Rapid Thermal Anneal装置（RTA） | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-223 | インプラ後アニール炉 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-224 | ウェル拡散炉 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-225 | ポストメタライゼーションアニール（PMA）炉 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-226 | 燐拡散炉 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-227 | 汎用熱処理装置 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-231 | 連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置） | 57,200 | 28,600 | 22,000 | 28,600 | 14,300 | 11,000 | |
| RO-311 | LPCVD装置（poly-Si用） | 17,160 | 8,580 | 6,600 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | |
| RO-312 | LPCVD装置（SiN用） | 17,160 | 8,580 | 6,600 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | |
| RO-313 | LPCVD装置（SiO2用） | 17,160 | 8,580 | 6,600 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | |
| RO-314 | 常圧SiO2CVD装置 | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-315 | プラズマCVD(PECVD)装置 | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-316 | ICP - CVD装置 | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-317 | CCP - CVD装置 | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 5,720 | 4,400 | |
| RO-318 | リモートPECVD装置 | 28,600 | 14,300 | 11,000 | 14,300 | 7,150 | 5,500 | |
| RO-321 | スパッタ装置（Al用） | 10,010 | 5,005 | 3,850 | 5,005 | 2,515 | 1,925 | |
| RO-322 | スパッタ装置(汎用) | 10,010 | 5,005 | 3,850 | 5,005 | 2,515 | 1,925 | |
| RO-323 | スパッタ装置(Cu用) | 10,010 | 5,005 | 3,850 | 5,005 | 2,515 | 1,925 | |
| RO-324 | 多元スパッタ装置 | 17,160 | 8,580 | 6,600 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | |
| RO-331 | 真空蒸着装置 | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-411 | エッチング装置（RIE SiO2用） | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-412 | 汎用プラズマ処理装置 | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-413 | エッチング装置（Si深掘用） | 22,880 | 11,440 | 8,800 | 11,440 | 2,860 | 2,200 | |
| RO-414 | エッチング装置(ICP Al用) | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-415 | エッチング装置(CDE SiN用) | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-416 | エッチング装置(レジスト Ashing用) | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-417 | エッチング装置（ICP Poly-Siゲート用） | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-418 | エッチング装置(汎用) | 14,300 | 7,150 | 5,500 | 7,150 | 3,575 | 2,750 | |
| RO-511 | プローバ | 7,480 | 3,740 | 2,860 | 3,740 | 1,870 | 1,430 | |
| RO-512 | 半導体パラメータアナライザ | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-513 | LCRメータ | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-514 | インピーダンスアナライザ | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-515 | ホール効果測定装置 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-522 | EBSD解析装置 | 28,600 | 14,300 | 11,000 | 14,300 | 7,150 | 5,500 | |
| RO-523 | 二次イオン質量分析装置 | 20,020 | 10,010 | 7,700 | 10,010 | 5,005 | 3,850 | |
| RO-524 | 蛍光X線分析装置(XRF) | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-525 | X線光電子分光装置(XPS) | 14,300 | 7,150 | 5,500 | 7,150 | 3,575 | 2,750 | |
| RO-526 | 薄膜構造評価X線回析装置(XRD) | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-527 | 走査電子顕微鏡(SEM) | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-531 | 分光エリプソメーター | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-532 | 干渉式膜厚計 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | 1,430 | 715 | 550 | |
| RO-533 | 原子間力顕微鏡 | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-534 | 表面段差計 | 5,720 | 2,860 | 2,200 | 2,860 | 1,430 | 1,100 | |
| RO-601 | ダイサー | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-602 | PDMS加工装置 | 8,580 | 4,290 | 3,300 | 4,290 | 2,145 | 1,650 | |
| RO-603 | 3Dプリンタ | 11,000 | 5,500 | 4,400 | 5,500 | 2,860 | 2,200 | |